[发明专利]一种穿过硅片接触孔的电阻测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201110388433.5 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103137604A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 苗彬彬;金锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种穿过硅片接触孔的电阻测试结构，包括：硅基板衬底上的接触孔中具有两组通孔，每组通孔具有N个工艺参数相同的通孔，所述通孔穿过硅片在硅片背面相互连接，所述两组通孔在硅片表面分别通过金属线引出，N≥5。本发明还公开了一种穿过硅片接触孔的电阻测试方法。本发明穿过硅片接触孔的电阻测试结构及测试方法通过卡尔文测电阻方法，在硅片生产中允收测试阶段能测试出穿过硅片表面接触孔的精确电阻，能应用于射频模型的精确提取。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 穿过 硅片 接触 电阻 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种穿过硅片接触孔的电阻测试结构，其特征是，包括：硅基板衬底上的接触孔中具有两组通孔，每组通孔具有N个工艺参数相同的通孔，所述通孔穿过硅片在硅片背面相互连接，所述两组通孔在硅片表面分别通过金属线引出，其中N≥5。
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