[发明专利]沟槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201110388536.1 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437026B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 熊磊;奚斐 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法。根据本发明的沟槽刻蚀方法包括衬垫氧化层形成步骤，用于在衬底上形成衬垫氧化层；硬掩膜形成步骤，用于在所述衬垫氧化层上形成硬掩膜；光刻胶层形成步骤，用于在所述硬掩膜上形成光刻胶层；光刻步骤，用于对光刻胶层进行光刻以得到光刻胶层的图案；硬掩膜刻蚀步骤，用于利用光刻步骤所得到的光刻胶层的图案对所述硬掩膜进行刻蚀以形成硬掩膜图案；光刻胶层去除步骤，利用氧气去除所述光刻胶层；以及沟槽刻蚀步骤，用于利用硬掩膜刻蚀步骤刻蚀出的所述硬掩膜图案来利用氧气刻蚀沟槽；其中，在通过控制所述沟槽刻蚀步骤中的氧气流量来控制所述沟槽刻蚀步骤所刻蚀出来的沟槽的关键尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 刻蚀 方法 以及 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
一种沟槽刻蚀方法，其特征在于包括：衬垫氧化层形成步骤，用于在衬底上形成衬垫氧化层；硬掩膜形成步骤，用于在所述衬垫氧化层上形成硬掩膜；光刻胶层形成步骤，用于在所述硬掩膜上形成光刻胶层；光刻步骤，用于对光刻胶层进行光刻以得到光刻胶层的图案；硬掩膜刻蚀步骤，用于利用光刻步骤所得到的光刻胶层的图案对所述硬掩膜进行刻蚀以形成硬掩膜图案；光刻胶层去除步骤，利用氧气去除所述光刻胶层；以及沟槽刻蚀步骤，用于利用硬掩膜刻蚀步骤刻蚀出的所述硬掩膜图案来利用氧气刻蚀沟槽；其中，在通过控制所述沟槽刻蚀步骤中的氧气流量来控制所述沟槽刻蚀步骤所刻蚀出来的沟槽的关键尺寸，当所述沟槽刻蚀步骤中的氧气流量较大时，即对硬掩膜阻挡层侧壁的保护较强时，即产生较厚的侧壁氧化层，所述沟槽刻蚀步骤所刻蚀出来的沟槽的关键尺寸较大；当所述沟槽刻蚀步骤中的氧气流量较小时，即对硬掩膜阻挡层侧壁的保护较弱时，即产生较薄的侧壁氧化层，所述沟槽刻蚀步骤所刻蚀出来的沟槽的关键尺寸较小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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