[发明专利]锗硅HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管及制造方法有效
| 申请号： | 201110388960.6 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103137677A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 陈帆;陈雄斌;薛恺;周克然;潘嘉;李昊;蔡莹;陈曦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/36;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管，基区由形成于浅槽场氧底部的N阱组成；发射区由形成于N阱中的第一P型赝埋层组成；集电区由形成于浅槽场氧底部且位于N阱的侧面第二P型赝埋层组成。N型深阱位于浅槽场氧的底部并将基区、发射区和集电区都包围；N型赝埋层通过N型深阱和基区连接。发射极、集电极和基极都是通过形成于各赝埋层顶部的深孔接触引出。本发明还公开了一种锗硅HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管的制造方法。本发明能够有效缩小器件的面积且不占用有源区的面积，能减少集电极和基极端的连接电阻，能在保证器件的电流增益系数不受影响的条件下，显著的改善器件的频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅 hbt 工艺 中的 寄生 横向 pnp 三极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种锗硅HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，包括：基区，由形成于所述浅槽场氧底部的所述硅衬底中的N阱组成；发射区，由形成于所述N阱中的第一P型赝埋层组成；在所述第一P型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触并引出发射极；集电区，由形成于所述浅槽场氧底部且位于所述N阱的侧面并和所述N阱的侧面相接触的第二P型赝埋层组成，所述发射区和所述集电区不接触且相隔一段横向距离；在所述第二P型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触并引出集电极；一N型深阱，该N型深阱位于所述浅槽场氧的底部并将所述基区、所述发射区和所述集电区都包围；N型赝埋层，所述N型赝埋层形成于所述浅槽场氧底部并位于所述集电区的外侧并和所述集电区相隔一横向距离；所述N型赝埋层和所述N型深阱相接触；在所述N型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触并引出基极。
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