[发明专利]硅纳米线探测单元有效
| 申请号： | 201110388980.3 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102522426A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 曹永峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;B82Y15/00;G01N27/26 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅纳米线探测单元，包括源极、漏极以及耦接在所述源极与所述漏极之间的硅纳米线，其中，在所述硅纳米线上设置有光刻胶加固结构，和/或分别在所述漏极与所述硅纳米线的连接处、所述源极与所述硅纳米线的连接处设置第一应力释放区和第二应力释放区。本发明的技术方案可以降低SiNW探测单元对于光刻、刻蚀工艺的要求，提高了SiNW探测单元的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 探测 单元 | ||
【主权项】：
一种硅纳米线探测单元，包括源极、漏极以及耦接在所述源极与所述漏极之间的硅纳米线，其特征在于，在所述硅纳米线上设置有光刻胶加固结构，和/或分别在所述漏极与所述硅纳米线的连接处、所述源极与所述硅纳米线的连接处设置第一应力释放区和第二应力释放区。
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