[发明专利]具有超厚顶层金属的集成电路的制作方法及集成电路

摘要

本发明提出一种具有超厚顶层金属的集成电路的制作方法及具有超厚顶层金属的集成电路，制作方法包括：在半导体基板的金属层上依次沉积刻蚀阻挡层、介电层和介电硬掩模层；在介电硬掩模层上旋涂第一光刻胶层，通过金属层光掩模版光刻形成沟槽图形；刻蚀介电硬掩模层和部分刻蚀介电层，形成深度为20,000-40,000A的沟槽；在介电硬掩模层旋涂第二光刻胶层，通过通孔光掩模版光刻形成通孔图形和冗余沟槽图形；刻蚀介电层、阻挡层，露出铜互连线，形成通孔和冗余沟槽；金属化超厚顶层金属层。本发明的集成电路由本发明的方法制成。本发明能兼容沟槽优先双大马士革工艺，制作工艺简单，在改善超厚顶层金属诱导的基板扭曲变形的同时不会恶化研磨工艺。

主权项

一种具有超厚顶层金属的集成电路的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在半导体基板(1)的金属层上依次沉积刻蚀阻挡层(2)、介电层(3)和介电硬掩模层(9)；S2、在所述介电硬掩模层(9)上旋涂第一光刻胶层(4)，通过金属层光掩模版光刻形成沟槽图形(41)；S3、沿着所述沟槽图形(41)向下刻蚀所述介电硬掩模层(9)和部分刻蚀所述介电层(3)，形成深度为20,000‑40,000A的沟槽(31)；然后，去除所述第一光刻胶层(4)的剩余部分；S4、在所述介电硬掩模层(9)旋涂第二光刻胶层(5)，通过通孔光掩模版光刻形成通孔图形(51)和冗余沟槽图形(52)，其中所述通孔图形(51)位于所述半导体基板(1)的金属层内的铜互连线(11)上方区域；S5、沿着所述通孔图形(51)和冗余沟槽图形(52)向下刻蚀所述介电层(3)，通孔刻蚀至所述刻蚀阻挡层(2)上表面；去除所述第二光刻胶层(5)的剩余部分；继续刻蚀打开通孔底部所述刻蚀阻挡层(2)，露出所述铜互连线(11)，形成通孔(61)和冗余沟槽(32)；S6、金属化超厚顶层金属层：分别在所述通孔(61)、所述沟槽(31)和所述冗余沟槽(32)内壁上沉积金属阻挡层和铜籽晶层；然后分别在所述通孔(61)、所述沟槽(31)和所述冗余沟槽(32)内电镀填充金属铜；化学机械研磨平坦化，研磨至所述介电层(3)去除多余金属，最终形成具有超厚互连线金属(7)、互连通孔(71)和浅冗余金属(8)的超厚顶层金属层双大马士革结构。