[发明专利]一种存储阵列单元信息读取方法及系统无效
申请号: | 201110391420.3 | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN102426848A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 龙爽;陈岚;杨诗洋;陈巍巍;崔雅洁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G11C7/12 | 分类号: | G11C7/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明;王宝筠 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种存储阵列单元信息读取方法和系统,同时选通包括被读取单元的位线在内的多根连续位线,在被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压,另一根位线施加高于所述第一读取电压的第二读取电压;与所述被读取存储单元施加第一读取电压的位线相邻的位线施加与所述第一读取电压相同的电压;比较被读取存储单元上产生的电流与预设电流值确定所述被读取存储单元的存储信息。进行信息读取时,只在被读取存储单元上产生读取电流,与施加较低电压的位线相邻的其他存储单元上不存在电位差,因此不会产生泄露电流而提高被读取存储单元的源极电压,不影响被读取存储单元的栅极电压增加到开启电平以上需要的时间,提高了存储单元的信息读取速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 存储 阵列 单元 信息 读取 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种存储阵列单元信息读取方法,其特征在于,包括:选通被读取存储单元的字线;选通存储阵列的多根连续位线,其中在所述被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压,另一根位线施加第二读取电压,所述第二读取电压高于第一读取电压;与所述被读取存储单元施加第一读取电压的位线相邻的位线施加与所述第一读取电压相等的电压;一根位线只能施加一次电压;比较被读取存储单元上产生的电流与预设电流值确定所述被读取存储单元的存储信息。
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