[发明专利]写辅助电路有效
| 申请号： | 201110391741.3 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102486932A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 金荣奭;金荣锡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种字线跟踪驱动器电路，包括：第一NMOS晶体管，含第一NMOS栅极、第一NMOS漏极、第一NMOS源极；第二NMOS晶体管，含第二NMOS栅极、第二NMOS漏极、第二NMOS源极；第三NMOS晶体管，含第三NMOS栅极、第三NMOS漏极、第三NMOS源极；第一PMOS晶体管，含第一PMOS栅极、第一PMOS漏极、第一PMOS源极；第二PMOS晶体管，含第二PMOS栅极、第二PMOS漏极、第二PMOS源极；第三PMOS晶体管，含第三PMOS栅极、第三PMOS漏极、第三PMOS源极；以及上拉电路，连接到第一PMOS漏极。第一PMOS漏极连接到第一NMOS漏极、第二PMOS漏极、第三PMOS栅极、第三NMOS栅极。第一PMOS栅极连接到第一NMOS栅极。第三PMOS漏极连接到第三NMOS漏极以及第二NMOS栅极。第二NMOS源极连接到第一NMOS漏极。第三PMOS漏极被配置为提供跟踪字线信号。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助 电路 | ||
【主权项】：
一种字线跟踪驱动器电路，包括：第一NMOS晶体管，具有第一NMOS栅极、第一NMOS漏极、以及第一NMOS源极；第二NMOS晶体管，具有第二NMOS栅极、第二NMOS漏极、以及第二NMOS源极；第三NMOS晶体管，具有第三NMOS栅极、第三NMOS漏极、以及第三NMOS源极；第一PMOS晶体管，具有第一PMOS栅极、第一PMOS漏极、以及第一PMOS源极；第二PMOS晶体管，具有第二PMOS栅极、第二PMOS漏极、以及第二PMOS源极；第三PMOS晶体管，具有第三PMOS栅极、第三PMOS漏极、以及第三PMOS源极；以及上拉电路，连接到所述第一PMOS漏极；其中，所述第一PMOS漏极连接到所述第二NMOS漏极、所述第二PMOS漏极、所述第三PMOS栅极、以及所述第三NMOS栅极；所述第一PMOS栅极连接到所述第一NMOS栅极；所述第三PMOS漏极连接到所述第三NMOS漏极以及所述第二NMOS栅极；所述第二NMOS源极连接到所述第一NMOS漏极；以及所述第三PMOS漏极被配置为提供跟踪字线信号。
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