[发明专利]一种太阳能电池三层复合钝化减反层及制备方法有效
| 申请号： | 201110392239.4 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN103137714A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 尹桂林;李文英;宋佳;何丹农 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人： | 唐莉莎 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池三层复合钝化减反层，其特征在于，在硅太阳能电池基底上用原子层沉积方法制备一种三层复合钝化减反层，三层复合钝化减反层的结构从基底自下而上，分别为二氧化钛（TiO2）层、二氧化钛/二氧化硅（TiO2/SiO2）层、二氧化硅（SiO2）层。本发明还涉及一种太阳能电池三层复合钝化减反层的制备方法。本发明能够同时起到减反与钝化的作用，一方面降低了太阳能电池表面的反射率，另一方面也能减少载流子复合，提高电池性能，同时通过过渡层的引入，能够进一步提高减反、钝化作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 三层 复合 钝化 减反层 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池三层复合钝化减反层，其特征在于，在硅太阳能电池基底上用原子层沉积方法制备一种三层复合钝化减反层，三层复合钝化减反层的结构从基底自下而上，分别为二氧化钛（TiO2）层、二氧化钛/二氧化硅（TiO2 /SiO2）层、二氧化硅（SiO2） 层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
