[发明专利]半导体芯片、半导体封装件以及半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201110393423.0 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102487058A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 金圣哲 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体芯片、半导体封装件以及半导体芯片的制造方法。该半导体芯片包括具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的基板、设置在基板的第一表面上的芯片焊盘以及包括多个子通路的贯穿硅通路(TSV)，该多个子通路在不同的位置处电连接到芯片焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 封装 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，包括：基板，具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；芯片焊盘，设置在所述基板的所述第一表面上；以及贯穿硅通路，包括在不同的位置处电连接到所述芯片焊盘的多个子通路。
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