[发明专利]流量传感器的制造方法无效
| 申请号： | 201110393894.1 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102515087A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 张挺;薛维佳;谢志峰 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种流量传感器的制造方法，包括步骤：提供SOI(绝缘层上的硅)基底，依次包括硅基底、绝缘层和表面硅层；在表面硅层上淀积含金属的装置制造层；将装置制造层作图形化，形成包括加热装置、测温装置和电极；在图形化的装置制造层上淀积保护层；通过半导体光刻技术，在流量传感器的背面进行湿法腐蚀，直至露出绝缘层，在硅基底中形成背面空腔；对流量传感器进行封装。本发明的流量传感器的制造过程采用自停止的腐蚀方法，具有良好的片中器件的均匀性、片间器件的可重复性，制造出的流量传感器的品质更高，适合大批量的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 流量传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种流量传感器的制造方法，包括步骤：制造或提供SOI基底，依次包括硅基底(101)、绝缘层(102)和表面硅层(103)；在所述表面硅层(103)上淀积含金属的装置制造层(104)；将所述装置制造层(104)作图形化，形成包括加热装置(105)、测温装置(106)和电极(107)；在图形化的所述装置制造层(104)上淀积保护层(108)；通过半导体光刻技术，在所述流量传感器的背面进行湿法腐蚀，直至露出所述绝缘层(102)，在所述硅基底(101)中形成背面空腔(109)；对所述流量传感器进行封装。
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