[发明专利]存储器件、存储器阵列及其制造方法无效
| 申请号： | 201110393972.8 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN103137861A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 康晋锋;于洪宇;高滨 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种存储器件、存储器阵列及其制造方法，其中，该存储器件包括：由n型半导体材料组成的下电极层；位于下电极层上的阻变材料层；以及位于阻变材料层上的由金属材料组成的上电极层。该存储器件是自整流的可变电阻，可应用于交差阵列存储电路结构，并且适于按比例尺寸缩小，从而可以提高存储器的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 存储器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器件，包括：由n型半导体材料组成的下电极层；位于下电极层上的阻变材料层；以及位于阻变材料层上的由金属材料组成的上电极层。
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