[发明专利]减少掩模板雾状缺陷的方法无效
申请号: | 201110394294.7 | 申请日: | 2011-12-01 |
公开(公告)号: | CN102436137A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 周军 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/82 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅会;郭晓东 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种减少掩模板雾状缺陷的方法,来减少因雾状缺陷而再清洗掩模板的次数,从而能够提高掩模板的使用寿命。该减少掩模板雾状缺陷的方法,在掩模板上通过铝框架覆盖有保护膜,在所述掩模板上覆盖所述保护膜之前,利用超纯水清洗所述掩模板,和/或,在将所述铝框架固定在所述掩模板上之前,以纯水作为电解液,通过电解在该铝框架的表面形成氧化铝保护层。 | ||
搜索关键词: | 减少 模板 雾状 缺陷 方法 | ||
【主权项】:
一种减少掩模板雾状缺陷的方法,在掩模板上通过铝框架覆盖有保护膜,其特征在于,在所述掩模板上覆盖所述保护膜之前,利用超纯水清洗所述掩模板。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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