[发明专利]监控源漏多晶和管侧墙间寄生电容的测试结构及制造方法有效
| 申请号： | 201110394479.8 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103137605A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 周正良;潘嘉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02;G01R27/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监控源漏多晶和管侧墙间寄生电容的测试结构，包括栅极、栅极侧墙和源漏多晶硅，所述栅极包括栅氧层和位于栅氧层上方的栅极多晶硅，栅极侧墙形成于栅极的两侧，源漏多晶硅形成于栅极侧墙的外侧，栅极、栅极侧墙和源漏多晶硅均位于氧化硅浅槽隔离上方。本发明还公开所述测试结构的制造方法及一种多指结构的测试结构。本发明针对锗硅BiCMOS工艺中的自对准CMOS管，可以有效监控栅极多晶硅通过管侧墙和源漏多晶硅间的寄生电容的大小；测试结构完全建立在浅槽氧化硅隔离上，源漏多晶硅的下部是氧化硅，通过源漏多晶硅和栅极多晶硅底部产生的额外寄生电容可以忽略，所测电容单一来自源漏多晶硅-CMOS侧墙-栅极多晶硅的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 多晶 管侧墙间 寄生 电容 测试 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种监控源漏多晶和管侧墙间寄生电容的测试结构，其特征在于：所述测试结构包括栅极、栅极侧墙和源漏多晶硅，所述栅极包括栅氧层和位于栅氧层上方的栅极多晶硅，栅极侧墙形成于栅极的两侧，源漏多晶硅形成于栅极侧墙的外侧，栅极、栅极侧墙和源漏多晶硅均位于氧化硅浅槽隔离上方。
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