[发明专利]一种钇铝石榴石单晶的制备方法有效
| 申请号： | 201110394948.6 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102409391A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王海丽;沈德忠;黄存新;陈建荣;张书峰;王震 | 申请（专利权）人： | 北京中材人工晶体研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B1/12 | 分类号： | C30B1/12;C30B29/28 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 100018 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钇铝石榴石单晶的制备方法，包括以下步骤：1)在钇铝石榴石粉料中加入正硅酸乙酯和/或氧化镁，再加入无水乙醇，混合后，再依次进行干燥、煅烧、真空热压处理，得到钇铝石榴石陶瓷；2）将步骤1）中得到的钇铝石榴石陶瓷进行单面抛光，得到单面抛光的钇铝石榴石陶瓷，然后与单面抛光的钇铝石榴石单晶进行光胶处理，然后再进行热等静压处理，即得到所述钇铝石榴石单晶。利用本发明的制备方法，可以制备出Nd掺杂浓度高达10at%的单晶，可以在较低（1550～1750℃）的温度下，制备YAG单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石榴石 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钇铝石榴石单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在钇铝石榴石粉料中加入正硅酸乙酯和/或氧化镁，再加入无水乙醇，混合后，再依次进行干燥、煅烧、真空热压处理，得到钇铝石榴石陶瓷，其中，所述正硅酸乙酯的重量为所述钇铝石榴石粉料重量的0～0.5%，所述氧化镁的重量为钇铝石榴石粉料重量的0～0.5%，所述无水乙醇的重量为钇铝石榴石粉料重量的0.5～2%；2）将步骤1）中得到的钇铝石榴石陶瓷进行单面抛光，得到单面抛光的钇铝石榴石陶瓷，然后与单面抛光的钇铝石榴石单晶进行光胶处理，然后再进行热等静压处理，即得到所述钇铝石榴石单晶。
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