[发明专利]半导体装置及其制造方法和半导体封装件有效
| 申请号： | 201110396465.X | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102479771A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李镐珍;赵泰济;张东铉;宋昊建;郑世泳;姜芸炳;尹玟升 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法和半导体封装件。在一个实施例中，一种半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体基底。第二表面限定再分布槽。基底具有延伸通过基底的通孔。半导体装置还包括设置在通孔中的通孔件。通孔件可以包括顺序形成在通孔的内壁上的通孔绝缘层、阻挡层。通孔件还可以包括与阻挡层相邻的导电连接件。半导体装置另外包括形成在基底的第二表面上的绝缘层图案。绝缘层图案限定暴露通孔件的顶表面的一定区域的开口。半导体装置包括设置在槽中并电连接到通孔件的再分布层。绝缘层图案与导电连接件的一定区域叠置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体基底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，第二表面限定再分布槽，基底具有延伸通过基底的通孔；通孔件，设置在通孔中，通孔件包括顺序形成在通孔的内壁上的通孔绝缘层、阻挡层，其中，通孔件还包括与阻挡层相邻的导电连接件；绝缘层图案，形成在基底的第二表面上，绝缘层图案限定暴露通孔件的顶表面的一定区域的开口；再分布层，设置在再分布槽中，并电连接到通孔件，其中，绝缘层图案与导电连接件的一定区域叠置。
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