[发明专利]变容二级管制作的调频无线话筒无效
申请号: | 201110396514.X | 申请日: | 2011-12-04 |
公开(公告)号: | CN102448001A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 李宁杭 | 申请(专利权)人: | 李宁杭 |
主分类号: | H04R19/01 | 分类号: | H04R19/01 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233000 安徽省蚌*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明变容二级管制作的调频无线话筒,由6V直流电源DC、音频拾取及音频放大电路、稳幅电路、变容二级管偏置电路、振荡电路及高频放大电路组成。本发明克服了多数调频无线话筒的调频工作是通过改变晶体管的基极和发射极之间电容来实现调频,这种调频方式存在着易产生寄生调幅现象,且谐波成分多等缺陷。本发明使变容二级管的容量随着音频信号的变化而变化,然后将音频信号加载到振荡电路中,从而实现了调频。该发射器无需外接天线,大大方便了用户的使用。 | ||
搜索关键词: | 二级 制作 调频 无线 话筒 | ||
【主权项】:
一种变容二级管制作的调频无线话筒,由6V直流电源DC、音频拾取及音频放大电路、稳幅电路、变容二级管偏置电路、振荡电路及高频放大电路组成,其特征包括:音频拾取及音频放大电路中的PNP硅晶体管BG1的基极与电解电容C1的负极、电阻R1的一端相连,电解电容C1的正极接驻极体话筒MIC的输出端,驻极体话筒MIC的外壳接电路地GND,电阻R1的另一端接电路正极VCC,PNP硅晶体管BG1的集电极接电解电容C2的正极和电阻R2的一端,电阻R2的另一端接电路正极VCC,PNP硅晶体管BG1的发射极接电路地GND;稳幅电路中的电解电容C2的负极与电阻R3的一端及电感线圈L1的一端相连,电阻R3的另一端接电路正极VCC,电感线圈L1的另一端接变容二级管D1的负极;变容二级管偏置电路中的变容二级管D1的正极与电阻R4的一端及电阻R5的一端相连,电阻R4另一端接电路正极VCC,电阻R5另一端接电路地GND;振荡电路及高频放大电路中PNP硅晶体管BG2的基极与电阻R6的一端及电阻R7的一端相连,电阻R6的另一端接电路正极VCC,电阻R7的另一端接电路地GND,PNP硅晶体管BG2的集电极与电容C4的一端、振荡线圈L2的一端、电容C3的一端相连,电容C4的另一端、振荡线圈L2的另一端接电路正极VCC,电容C3的另一端接变容二级管D1的负极,PNP硅晶体管BG2的发射极与电阻R8的一端相连,电阻R8的另一端接电路地GND。
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