[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110396517.3 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437195A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 苏家怡 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/32 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法。该制造方法包括：于一基板上形成一栅极。于基板上形成一栅极绝缘层，以覆盖栅极。于栅极绝缘层上形成一半导体材料层。形成一蚀刻终止材料层于栅极上方的半导体材料层上，其中蚀刻终止材料层具有一第一区块与位于第一区块两侧的一第二区块，第一区块的厚度大于第二区块的厚度，且蚀刻终止材料层包括一有机无机混合材料。以蚀刻终止材料层为掩模，移除部分半导体材料层，以形成一沟道层。移除蚀刻终止材料层的第二区块，以形成一蚀刻终止层，蚀刻终止层覆盖部分沟道层。于覆盖有蚀刻终止层的沟道层上形成一源极与一漏极。本发明可以降低制作成本与时间以及提升元件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于一基板上形成一栅极；于该基板上形成一栅极绝缘层，覆盖该栅极；于该栅极绝缘层上形成一半导体材料层；形成一蚀刻终止材料层于该栅极上方的该半导体材料层上，其中该蚀刻终止材料层具有一第一区块与位于该第一区块两侧的一第二区块，该第一区块的厚度大于该第二区块的厚度，且该蚀刻终止材料层包括一有机无机混合材料；以该蚀刻终止材料层为掩模，移除部分该半导体材料层，以形成一沟道层；移除该蚀刻终止材料层的该第二区块，以形成一蚀刻终止层，该蚀刻终止层覆盖部分该沟道层；以及于覆盖有该蚀刻终止层的该沟道层上形成一源极与一漏极。
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