[发明专利]一种用于桥式驱动电路中的高压隔离环结构

摘要

本发明公开了一种用于桥式驱动电路中的高压隔离环结构，包括P型衬底和N型外延层，N型外延层上制作有P型隔离、深硼、P阱、第一RESURF和LDMOS管，深硼中形成有第一P+有源区，P阱中形成有第二P+有源区，LDMOS管的栅极为制作于N型外延层的上表面上的栅多晶，P阱的外边界与第一RESURF的外边界之间的区域中形成有第一N+有源区，其通过引出金属触点作为LDMOS管的源极，N型外延层中制作有第二N+有源区，其通过引出金属触点作为LDMOS管的漏极，优点在于通过集成一个LDMOS管就可为隔离环内的高压侧逻辑控制电路的电源持续补充电荷，一方面实现了自举二极管的功能，很好地减少了应用电路的外围器件；另一方面，本发明的高压隔离环不会再度增加工艺的复杂度。

主权项

一种用于桥式驱动电路中的高压隔离环结构，包括P型衬底和在所述的P型衬底上生长一层N型外延材料构成的N型外延层，其特征在于所述的N型外延层上加工制作有P型隔离、深硼、P阱、第一RESURF和LDMOS管，所述的深硼中形成有第一P+有源区，所述的P型隔离与所述的第一P+有源区和所述的深硼之间均存在交叠区域，所述的P阱与所述的第一RESURF之间存在交叠区域，所述的P阱中形成有第二P+有源区，所述的第二P+有源区与所述的第一RESURF之间存在交叠区域，所述的LDMOS管的栅极为加工制作于所述的N型外延层的上表面上的栅多晶，所述的栅多晶覆盖到所述的P阱的外边界以内的部分区域和以外的部分区域，所述的LDMOS管的源极形成在下述结构上：所述的P阱的外边界与所述的第一RESURF的外边界之间的区域中形成有第一N+有源区，所述的第一N+有源区的外边界与所述的栅多晶的内边界相重合，所述的第一N+有源区的内边界与所述的第二P+有源区的外边界之间存在间隙，所述的第一N+有源区通过接触孔引出金属触点作为所述的LDMOS管的源极，所述的LDMOS管的衬底形成在下述结构上：所述的P阱通过所述的第二P+有源区连接到接触孔引出的金属触点作为LDMOS管的衬底，所述的LDMOS管的漏极形成在下述结构上：所述的N型外延层中加工制作有第二N+有源区，所述的第二N+有源区的外边界与所述的第一RESURF的内边界之间存在间隙，所述的第二N+有源区通过接触孔引出金属触点作为所述的LDMOS管的漏极，所述的第二N+有源区的内边界所围成的区域为隔离环内逻辑版图区域，用于绘制高压侧逻辑控制电路版图。