[发明专利]掺杂方法、PN结构、太阳能电池及其制作方法无效
| 申请号： | 201110396879.2 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103137448A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 陈炯;洪俊华;钱锋 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 朱水平;王婧荷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂方法包括以下步骤：在一N型基底的表面和背面形成绒面；通过离子注入的方式在该N型基底的背面中形成N型重掺杂区域和N型轻掺杂区域，其中该N型轻掺杂区域为与该N型重掺杂区域接触的、且N型离子的掺杂浓度小于该N型重掺杂区域的区域；通过热扩散的方式在该N型基底的表面中形成一P型掺杂层。本发明还公开了一种PN结构、太阳能电池及其制作方法。本发明采用离子注入进行掺杂形成该N型轻掺杂区域与该N型重掺杂区域，掺杂离子的浓度和掺杂的均匀性得到了精确的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 方法 pn 结构 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、在一N型基底的表面和背面形成绒面；步骤S2、通过离子注入的方式在该N型基底的背面中形成N型重掺杂区域和N型轻掺杂区域，其中该N型轻掺杂区域为与该N型重掺杂区域接触的、且N型离子的掺杂浓度小于该N型重掺杂区域的区域；步骤S3、通过热扩散的方式在该N型基底的表面中形成一P型掺杂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
