[发明专利]具有双金属硅化物的射频LDMOS器件及制造方法有效
| 申请号： | 201110396915.5 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103137667A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 周正良;遇寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有双金属硅化物的射频LDMOS器件及制造方法，P型硅衬底上形成P型外延，P型外延中形成N型低掺杂漏区、P阱和N型重掺杂漏区；P阱中形成N型重掺杂源区、P型重掺杂引出区；N型重掺杂漏区上方形成漏极钛金属硅化物层，P型重掺杂引出区和N型重掺杂源区上方形成源极钛金属硅化物层，多晶硅栅极上方具有栅极钛金属硅化物层，栅极钛金属硅化物层的厚度大于漏极钛金属硅化物层和源极钛金属硅化物层的厚度。本发明栅极的钛金属硅化物较厚，可以降低栅极的方块电阻，源极和漏极上的常规厚度钛金属硅化物避免对源漏和阱的结穿透造成漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双金属 硅化物 射频 ldmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有双金属硅化物的射频LDMOS器件，其特征在于：P型硅衬底(1)上形成有P型外延(2)，P型外延(2)中形成有N型低掺杂漏区(4)；所述N型低掺杂漏区(4)的两侧分别形成P阱(3)和N型重掺杂漏区(6)，P阱(3)和N型低掺杂漏区(4)不接触，N型重掺杂漏区(6)和N型低掺杂漏区(4)一侧重合；所述P阱(3)中形成有N型重掺杂源区(8)，N型重掺杂源区(8)远离N型低掺杂漏区(4)的一侧形成有P型重掺杂引出区(7)，P型重掺杂引出区(7)和N型重掺杂源区(8)相接触；P型外延(2)在N型重掺杂漏区(6)上方形成有漏极钛金属硅化物层(13)，在P型重掺杂引出区(7)和N型重掺杂源区(8)上方形成有源极钛金属硅化物层(14)，在漏极钛金属硅化物层(13)和源极钛金属硅化物层(14)内缘之间、漏极钛金属硅化物层(13)外缘外和源极钛金属硅化物层(14)外缘外的P型外延(2)上形成有氧化硅阻挡层(12)；N型低掺杂漏区(4)和P阱(3)上方的氧化硅阻挡层(12)中具有多晶硅栅极(5)，多晶硅栅极(5)上方具有栅极钛金属硅化物层(11)，所述栅极钛金属硅化物层(11)的厚度大于漏极钛金属硅化物层(13)和源极钛金属硅化物层(14)的厚度。
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