[发明专利]多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构及其制备方法有效
申请号: | 201110397731.0 | 申请日: | 2011-12-05 |
公开(公告)号: | CN103130528A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 黄春来;薛抗美;游达 | 申请(专利权)人: | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
主分类号: | C04B41/89 | 分类号: | C04B41/89 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 221004 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构,包括:置于坩埚基底上的第一涂层,和置于该第一涂层上的第二涂层;所述第一涂层通过涂覆第一涂层组合物形成,所述第一涂层组合物由基于第一涂层组合物总重量的70-80%的溶剂和20-30%的粘结剂组成;所述第二涂层通过涂覆第二涂层组合物形成,所述第二涂层组合物含有基于第二涂层组合物总重量的14-20%的氮化硅、60-70%的溶剂和14-20%的粘结剂,且所述溶剂选自水或醇;所述粘结剂选自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或硅溶胶。本发明也公开了该涂层结构的制备方法。该涂层结构在多晶硅的生产过程中,作为坩埚脱模涂层,可直接涂覆使用,免除涂层烧结热处理的步骤,减少生产环节,极大地降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 多晶 铸锭 烧结 坩埚 涂层 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构,包括:置于坩埚基底上的第一涂层,和置于该第一涂层上的第二涂层;所述第一涂层通过涂覆第一涂层组合物形成,所述第一涂层组合物由基于第一涂层组合物总重量的70‑80%的溶剂和20‑30%的粘结剂组成;所述第二涂层通过涂覆第二涂层组合物形成,所述第二涂层组合物含有基于第二涂层组合物总重量的14‑20%的氮化硅、60‑70%的溶剂和14‑20%的粘结剂,且所述溶剂选自水或醇;所述粘结剂选自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或硅溶胶。第二涂层组合物中氮化硅和粘结剂的下限高了
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