[发明专利]发光装置及其制造方法无效
申请号: | 201110398032.8 | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN102544258A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 矢羽田孝辅;户谷真悟;守山实希;关根重信 | 申请(专利权)人: | 丰田合成株式会社;纳普拉有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/38 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种发光装置,其在次安装基台上安装有面朝上型的发光元件,不使用引线而高位置精度地进行安装。发光装置由面朝上型的发光元件(1)和次安装基台(2)构成,该面朝上型的发光元件(1)由III族氮化物半导体构成。发光元件(1)具有贯穿孔(17、18),次安装基台(2)具有2个棒状电极(22)。次安装基台(2)的棒状电极(22)分别插入发光元件(1)的贯穿孔(17、18)中。棒状电极(22)的前端部(22a)从发光元件(1)的n焊盘电极(14)、p焊盘电极(16)的表面凸出,其前端(22a)被压扁并扩展,与发光元件(1)的n焊盘电极(14)、p焊盘电极(16)连接。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光装置的制造方法,其中,该发光装置是将面朝上型的发光元件安装在次安装基台上而成的,该面朝上型的发光元件具有形成于绝缘性的基板上的半导体层、以及形成于同一面侧的n焊盘电极及p焊盘电极,该发光装置的制造方法的特征在于,在所述发光元件上形成2个贯穿孔,这些贯穿孔分别穿过所述n焊盘电极及所述p焊盘电极而贯穿,利用绝缘膜对向所述贯穿孔的侧面露出的所述半导体层进行覆盖,在所述次安装基台上,在所述发光元件的安装位置且与所述发光元件的所述贯穿孔相对的位置上,形成比所述发光元件的厚度长而以棒状凸出的2个棒状电极,向所述发光元件的所述贯穿孔中插入所述次安装基台的所述棒状电极,将所述棒状电极的前端压扁,从而将所述棒状电极和所述n焊盘电极及所述p焊盘电极连接。
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