[发明专利]玻璃基板薄膜溅射靶材及其制备方法无效
| 申请号： | 201110398619.9 | 申请日： | 2011-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN102409294A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 寇浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/34;C22C1/04;C03C17/09 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦;丁建春 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种玻璃基板薄膜溅射靶材的制备方法，包括：称量用于制作玻璃基板薄膜溅射靶材的合金材料；将称量的合金材料添加到等离子体压力成型烧结腔体中进行烧结，得到靶材烧结体，烧结温度为500℃～1600℃，烧结时间为5～20分钟；将烧结获得的靶材烧结体进行后期加工处理。本发明还公开了一种由所述制备方法制得玻璃基板薄膜溅射靶材。本发明实施例的玻璃基板薄膜溅射靶材的制备方法及玻璃基板薄膜溅射靶材由于采用了等离子体压力成型的快速烧结方法，因此能够提高靶材品质和缩短靶材制备时间。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 薄膜 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种玻璃基板薄膜溅射靶材的制备方法，其特征在于，包括：称量用于制作玻璃基板薄膜溅射靶材的合金材料；将称量的合金材料添加到等离子体压力成型烧结腔体中进行烧结，得到靶材烧结体，烧结温度为500℃～1600℃，烧结时间为5～20分钟；将烧结获得的靶材烧结体进行后期加工处理。
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