[发明专利]一种具有非均匀浮岛结构的VDMOS器件

摘要

一种具有非均匀浮岛结构的VDMOS器件，属于半导体功率技术领域。本发明在普通VDMOS的第一导电类型半导体漂移区中引入非均匀浮岛结构，所述非均匀浮岛结构包括至少两层第二导电类型半导体浮岛：上层第二导电类型半导体浮岛和下层第二导电类型半导体浮岛；上层第二导电类型半导体浮岛的横向宽度尺寸较大、但掺杂浓度较小，下层第二导电类型半导体浮岛的横向宽度尺寸较小、但掺杂浓度较大。本发明提供的非均匀浮岛VDMOS与普通VDMOS相比，在击穿电压相同的情况下，本发明可采用较高的外延层电阻率，从而使导通电阻大大降低；与均匀浮岛VDMOS相比，本发明的电流通路更宽，同样可使导通电阻降低；与超结VDMOS相比，本发明的体二极管反向恢复特性更好，且工艺相对简单。

主权项

一种具有非均匀浮岛结构的VDMOS器件，包括金属化源电极(1)、多晶硅栅电极(2)、绝缘介质层(3)、第一导电类型半导体掺杂源区(4)、第二导电类型半导体基区(5)、第二导电类型半导体掺杂接触区(6)、第一导电类型半导体掺杂漂移区(7)、第一导电类型半导体掺杂衬底(10)和金属化漏电极(11)；金属化漏电极(11)位于第一导电类型半导体掺杂衬底(10)的背面，第一导电类型半导体掺杂漂移区(7)位于第一导电类型半导体掺杂衬底(10)的正面；第二导电类型半导体基区(5)位于第一导电类型半导体掺杂漂移区(7)的顶部两侧，第二导电类型半导体基区(5)内具有分别与金属化源电极(1)相接触的第一导电类型半导体掺杂源区(4)和第二导电类型半导体掺杂接触区(6)；栅介质层位于第二导电类型半导体基区(5)和第一导电类型半导体掺杂漂移区(7)的上表面，多晶硅栅电极(2)位于栅介质层的上表面，多晶硅栅电极(2)与金属化源电极(1)之间填充的是绝缘介质层(3)；其特征在于，所述第一导电类型半导体掺杂漂移区(7)内部还具有非均匀浮岛结构，所述非均匀浮岛结构包括至少两层第二导电类型半导体浮岛：上层第二导电类型半导体浮岛(8)和下层第二导电类型半导体浮岛(9)；所述上层第二导电类型半导体浮岛(8)的横向宽度尺寸大于下层第二导电类型半导体浮岛(9)的横向宽度尺寸，且所述上层第二导电类型半导体浮岛(8)的掺杂浓度小于下层第二导电类型半导体浮岛(9)的掺杂浓度。