[发明专利]记忆体及诱发热载子注入与非门串列的选取记忆胞的方法

摘要

本发明是有关于一种记忆体及诱发热载子注入与非门串列的选取记忆胞的方法。该记忆体，包含多个记忆胞串联安排于一半导体主体中，例如与非门串列中，具有多条字元线。一所选取记忆胞藉由热载子注入进行编程。此编程操作是基于控制介于此与非门串列中所选取记忆胞的第一侧的一第一半导体主体区域与该与非门串列的该选取记忆胞的第二侧的一第二半导体主体区域的载子流动。施加高于热载子注入能障的编程电位至所选取记忆胞，且之后通过所选取记忆胞的漏极至源极电压及所选取记忆胞中的载子流动到达足以支持热载子注入的阶级，其是由与该选取记忆胞邻接的切换记忆胞及施加至此与非门串列源极端电压的调控的组合来控制。

主权项

一种记忆体，其特征在于其包含：多个记忆胞串联安排于一半导体主体中；多条字元线，该多条字元线中的字元线与对应的该多个记忆胞中的记忆胞耦接；一第一切换晶体管，在一参考线与该多个记忆胞的第一侧之间；一第二切换晶体管，在一第一位元线与该多个记忆胞的第二侧之间；以及控制电路与多条位元线耦接，以适合利用下列步骤对一所选取字元线对应的该多个记忆胞中的一选取记忆胞进行编程：在一编程区间时偏压该多个记忆胞的第一及第二侧之一至一漏极端电压，且偏压该第一及第二侧的另一个至一源极端电压以控制该编程区间时的电导；在该编程区间时施加漏极端导通电压至介于该所选取字元线与该第一及第二侧之一之间的字元线；在该编程区间时施加源极端导通电压至介于该所选取字元线与该第一及第二侧的另一个之间的字元线；在该编程区间时施加一编程电压至该所选取字元线，其施加一切换电压至该所选取字元线的等效源极侧的邻接字元线，其施加导通电压至其它的字元线；其中，该偏压该第一及第二侧的另一个至一源极端电压包含设置该源极端电压至一初始阶级，其小于一临界电压，该临界电压高于或低于施加至该第一及第二切换晶体管的对应一者的栅极电压和源极端电压，使得该对应切换晶体管在该编程区间中的一初始部分时保持关闭，且将该源极端电压在该编程区间中的一后续部分时自该初始阶级快速减少至一个或多个超过该低于该栅极电压的临界电压的阶级，使得该对应切换晶体管在该编程区间中开启。