[发明专利]用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 201110401457.X | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102437258A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 袁根如;郝茂盛;李士涛;张楠;朱广敏;陈诚;邢志刚;陈耀;汪洋;李睿;彭昀鹏 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底及其制备方法，通过对蓝宝石衬底进行第一次刻蚀，以在其表面形成周期排列的凸起微结构及间隙平台，然后基于蓝宝石各晶向具有不同的物理和化学性质特点，用氟基离子对上述图形衬底做表面处理，将处于氟基离子中凸起微结构的表面腐蚀出粗糙面，而凸起微结构之间的间隙平台则不受影响，被经过表面处理后的图形衬底在长外延的时候，凸起微结构表面由于被腐蚀成粗糙面，外延生长的时候由于没有生长平台将不成核，而凸起微结构之间由于有较大的平台，促成在凸起微结构之间的空隙上垂直方向成核，通过这样生长出的外延层，晶体缺陷明显减少，提高了晶体质量，从而达到提高芯片亮度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 氮化 生长 成核 位置 图形 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底的制备方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，对所述半导体衬底进行第一次刻蚀，以在其表面形成多个凸起微结构，且各该凸起微结构之间具有间隙平台；2)进行第二次刻蚀，以在各该凸起微结构的表面形成粗糙纹理。
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