[发明专利]存储元件和存储装置有效
| 申请号： | 201110401742.1 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102543176A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行;浅山徹哉 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C16/00 | 分类号： | G11C16/00;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及存储元件和存储装置。所述存储元件包括：存储层、磁化固定层和绝缘层，通过在包含所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层叠结构的层叠方向上注入自旋极化电子，所述存储层的磁化的方向发生改变并且在所述存储层进行信息的记录，并且在所述存储层与所述磁化固定层中的至少一者中，从与所述绝缘层相接触的界面侧依次形成有Fe膜和含有Ni的膜，并且在加热后形成有Ni和Fe的梯度组分分布。所述存储装置包括上述存储元件和两种类型的布线，并且借助通过所述两种类型的布线在所述层叠方向上流向所述存储元件的电流来注入自旋极化电子。本发明能够实现具有高耐热性、易于应用半导体工艺并且具有优良可生产性的非易失性存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，所述存储元件包括：存储层，所述存储层具有与膜表面垂直的磁化，并且所述存储层的磁化的方向对应信息而改变；磁化固定层，所述磁化固定层具有与膜表面垂直的磁化，并且所述磁化固定层的磁化是所述存储层中存储的信息的基准；以及绝缘层，所述绝缘层是由氧化物构成的，并且所述绝缘层设置于所述存储层与所述磁化固定层之间，其中，通过在包含所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层叠结构的层叠方向上注入自旋极化电子，所述存储层的磁化的方向发生改变，并且在所述存储层进行信息的记录，并且在所述存储层与所述磁化固定层中的至少一者中，从与所述绝缘层相接触的界面侧依次形成有Fe膜和含有Ni的膜，并且在加热后形成有Ni和Fe的梯度组分分布。
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