[发明专利]制备高硒灵芝材料的方法

摘要

本发明公开了一种制备高硒灵芝材料的方法，包括以下步骤：（1）将灵芝菌种接入PDA综合培养基中进行试管菌种培养得到初始菌悬液；（2）将硒源与PDA综合培养基混合分别配制成梯度硒浓度的含硒培养基，对含硒培养基进行灭菌处理，采用菌悬液接种方式将灵芝菌种接种到灭菌处理后的含硒培养基上按照硒浓度从低到高的顺序按照常用的灵芝菌种培养方式逐一硒浓度进行耐硒培养；首次耐硒培养使用的菌悬液为初始菌悬液，以后耐硒培养采用的菌悬液为当前硒浓度进行耐硒培养使用的菌悬液，依次类推；得到灵芝的最佳耐受硒浓度和高耐硒灵芝菌种；（3）将步骤（2）中获得的高耐硒灵芝菌种发酵培养即得高硒灵芝材料。经过灵芝菌种的高硒耐受性培养后，其在液体深层培养的状态下，对培养基中的硒含量的耐受性大幅提高。

主权项

一种制备高硒灵芝材料的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：（1）将灵芝菌种接入PDA综合培养基中进行试管菌种培养得到初始试管菌种； （2）将硒源与PDA综合培养基混合分别配制成梯度硒浓度的含硒培养基，对含硒培养基进行灭菌处理，采用菌悬液接种方式将灵芝菌种接种到灭菌处理后的含硒培养基上按照硒浓度从低到高的顺序按照常用的灵芝菌种培养方式逐一硒浓度进行耐硒培养得到耐硒培养菌种；首次耐硒培养使用的菌悬液为初始试管菌种，以后耐硒培养采用的菌悬液为当前硒浓度进行耐硒培养得到的耐硒培养菌种，依次类推；当灵芝菌种生长出现下列情形之一时：i）菌株生长周期延长至前一硒浓度的耐硒培养基培养时的一倍以上；ii）菌种生物量下降至前一硒浓度的耐硒培养基培养时的30%以下，甚至不生长；iii）菌株明显变色；且相邻批次耐硒培养基的硒浓度差值在预定阈值内时，停止耐硒培养，并确定灵芝的最佳耐受硒浓度为前一批次耐硒培养基的硒浓度和高耐硒灵芝菌种；（3）将步骤（2）中获得的高耐硒灵芝菌种接入经灭菌处理的含硒液体发酵培养基中，所述含硒液体发酵培养基的硒含量为500‑1500 mg/L，培养条件为温度为25～33℃，转速为100～200转/分的最优化条件下，进行灵芝液体富硒深层培养即得高硒灵芝材料。