[发明专利]一种低温等离子体活化直接键合的三维硅模具制备方法无效
| 申请号： | 201110402552.1 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102431961A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 廖广兰;卓锐;史铁林;聂磊;张昆 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低温等离子体活化直接键合的三维硅模具制备方法，将待制备微模具在Z方向进行分层设计；选择适当厚度的硅片作为每层基底，对各层硅片采用光刻及ICP（电感耦合等离子体）深硅刻蚀方法，精确刻蚀出模具对应层的结构图形；然后将各硅片表面进行清洗、等离子体活化、预键合、低温退火工艺，完成多层硅片直接键合；最后划片，批量得到三维微型硅模具。本发明适用于高效、高精度制备MEMS（微机电系统）器件中带有阶梯、高深宽比的三维微型结构（如微齿轮轴、微阶梯轴、微泵等）的硅模具。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 等离子体 活化 直接 三维 模具 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体活化直接键合的三维硅模具制备方法，其工艺步骤如下：分层设计：将待制备微模具进行分层设计，选择与分层数量相同、对应层厚度相等的硅片作为每层的基底，需要键合的硅片表面为抛光面；直接键合：对已刻蚀出图形的各硅片表面依次进行等离子体活化、预键合和低温退火工艺，完成多层硅片直接键合；划片：划片批量得到带有三维形腔的微模具。
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