[发明专利]一种增加多晶硅还原炉里硅芯根数的方法及装置无效

专利信息
申请号: 201110402606.4 申请日: 2011-12-07
公开(公告)号: CN103145130A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 刘雅铭;刘寄声 申请(专利权)人: 刘雅铭
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100076 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种增加多晶硅还原炉里硅芯根数的方法及装置。多晶硅生产是利用三氯氢硅与氢气在还原炉内的硅芯表面上发生化学反应后生成的,因此生产量与硅芯的表面积有关,硅芯表面积大的,参加反应的面积就大,生产速度就快。现有还原炉里的每个石墨电极上只有1根硅芯,而本发明是每个石墨电极上可以有2~8根硅芯,因此,表面积就大,从而可以改变多晶硅生产慢的不利局面。
搜索关键词: 一种 增加 多晶 还原 炉里硅芯根数 方法 装置
【主权项】:
一种增加多晶硅还原炉里硅芯根数的方法,它包括以下步骤:①首先将每根硅芯(3)的两端都磨成锥度为1∶3~1∶10的锥形;②将还原炉里的每个金属电极(1)上都安装一个石墨电极(2),并保证石墨电极(2)与金属电极(1)接触良好,以通电后石墨电极(2)和金属电极(1)的接触处不打火、不发红为准;③在石墨电极(2)中心孔的周围有2~8个大直径朝上的锥形小孔(7),在每个小孔里装上一根硅芯(3),并保证硅芯(3)与石墨电极(2)接触良好;④然后再将每根硅芯(3)的上端分别插入石墨固定板(4)的锥形小孔里,并保证硅芯(3)与石墨固定板(4)接触良好;⑤每两个石墨固定板(4)用一根横梁(8)连接起来,组成了一个类似于倒立的U字形的发热体。
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