[发明专利]单侧埋入带的制造方法

摘要

一种单侧埋入带的制造方法，包括：在半导体基板内形成沟槽电容结构，其中该沟槽电容结构具有掺杂多晶硅层与由该掺杂多晶硅层所包覆的隔离环，而该掺杂多晶硅层的顶面低于该半导体基板的顶面，因而形成有第一凹口；在该半导体基板上依序形成第一阻剂层、第二阻剂层与第三阻剂层；依序图案化该第三阻剂层、该第二阻剂层与该第一阻剂层，在该半导体基板上形成三层图案化的阻剂层；部分移除由该三层图案化的阻剂层所露出的该掺杂多晶硅层的该部份以形成第二凹口；移除该三层图案化的阻剂层；以及在该第二凹口内及该第一凹口的一部分内形成绝缘层。

主权项

一种单侧埋入带的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基板内形成沟槽电容结构，所述沟槽电容结构具有掺杂多晶硅层与由所述掺杂多晶硅层所包覆的隔离环，而所述掺杂多晶硅层的顶面低于所述半导体基板的顶面，因而形成有第一凹口；在所述半导体基板上依序形成第一阻剂层、第二阻剂层与第三阻剂层，所述第一阻剂层填满了所述沟槽电容结构的所述凹口，而所述第一阻剂层、所述第二阻剂层与所述第三阻剂层具有平坦表面；依序图案化所述第三阻剂层、所述第二阻剂层与所述第一阻剂层，在所述半导体基板上形成三层图案化的阻剂层，所述三层图案化的阻剂层露出了所述掺杂多晶硅层的所述顶面的一部分；部分移除由所述三层图案化的阻剂层所露出的所述掺杂多晶硅层的所述部份以形成第二凹口，所述第二凹口露出了所述隔离环的一部分；移除所述三层图案化的阻剂层；以及在所述第二凹口内及所述第一凹口的一部分内形成一绝缘层，覆盖由所述第二凹口所露出的所述隔离环的所述部分。