[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110402775.8 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102487081A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 宫岛豊生;吉川俊英;今西健治;多木俊裕;金村雅仁 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 章侃铱;张浴月 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种化合物半导体器件及制造方法，该半导体器件包括：电子传输层，形成在衬底上方；电子供应层，形成在电子传输层上方；及覆盖层，形成在电子供应层上方。该覆盖层包括：包含GaN的第一化合物半导体层；包含AlN的第二化合物半导体层，其形成在第一化合物半导体层上方；包含GaN的第三化合物半导体层，其形成在第二化合物半导体层上方；及第一包含AlGaN层和第二包含AlGaN层中的至少一个，第一包含AlGaN层形成在第一化合物半导体层和第二化合物半导体层之间且其中Al含量朝第二化合物半导体层增大，第二包含AlGaN层形成在第二化合物半导体层和第三化合物半导体层之间且其中Al含量朝第二化合物半导体层增大。本发明可抑制栅极漏电流和耐压降低、及/或可抑制电流崩塌。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；电子传输层，形成在所述衬底的上方；电子供应层，形成在所述电子传输层的上方；以及覆盖层，形成在所述电子供应层的上方；所述覆盖层包括包含GaN的第一化合物半导体层；包含AlN的第二化合物半导体层，其形成在所述第一化合物半导体层的上方；包含GaN的第三化合物半导体层，其形成在所述第二化合物半导体层的上方；以及第一包含AlGaN层和第二包含AlGaN层中的至少一个，所述第一包含AlGaN层形成在所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层之间且其中Al含量朝所述第二化合物半导体层的方向增大，所述第二包含AlGaN层形成在所述第二化合物半导体层和所述第三化合物半导体层之间且其中Al含量朝所述第二化合物半导体层的方向增大。
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