[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110402804.0 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102569378A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 清水早苗;今西健治;山田敦史;宫岛豊生 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/201;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琳;张龙哺 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：衬底；电子渡越层，形成在衬底的上方；电子供应层，形成在电子渡越层的上方；以及缓冲层，形成在衬底与电子渡越层之间且包括AlxGa1-xN(0≤x≤1)，其中，x值表示沿缓冲层的厚度方向的多个最大值和多个最小值，并且在缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中x的变化为0.5或更小。本发明具有良好的结晶度。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；电子渡越层，形成在所述衬底的上方；电子供应层，形成在所述电子渡越层的上方；以及缓冲层，形成在所述衬底与所述电子渡越层之间且包括AlxGa1‑xN，其中0≤x≤1，其中x值表示沿所述缓冲层的厚度方向的多个最大值和多个最小值，并且在所述缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中x的变化为0.5或更小。
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