[发明专利]一种Ru-RuO/Ru-Ge-Cu自形成双层非晶扩散阻挡层及其制备方法无效
| 申请号： | 201110402807.4 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102437144A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 宋忠孝;何国华;李雁淮;钱旦;范丽娜;吴汇焱;徐可为 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种Ru-RuO/Ru-Ge-Cu自形成双层非晶扩散阻挡层及其制备方法，扩散阻挡层体系包括衬底、沉积在衬底上并作为种子层和析出层的Cu(Ru)合金薄膜、植入于衬底和Cu(Ru)合金薄膜之间并作为预阻挡和耗尽层的非晶Ru-Ge合金薄膜，以及镀在Cu(Ru)合金薄膜上并作为互连层的纯Cu层。本发明自形成的双层阻挡层连续均匀致密，厚度可控制在几纳米内，且具有低的电阻和高的热稳定性，满足超大规模集成电路对Cu互连扩散阻挡层的性能要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ru ruo ge cu 形成 双层 扩散 阻挡 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ru‑RuO/Ru‑Ge‑Cu自形成双层非晶扩散阻挡层，其特征在于：包括衬底、沉积在衬底上并作为种子层和析出层的Cu(Ru)合金薄膜、植入于衬底和Cu(Ru)合金薄膜之间并作为预阻挡和耗尽层的非晶Ru‑Ge合金薄膜，以及沉积在Cu(Ru)合金薄膜上并作为互连层的纯Cu层。
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