[发明专利]背面触点太阳能电池及制造方法

摘要

在一个实施例中，通过扩散选择性沉积在晶片(100)背面上的掺杂剂源(201，202，203，204)中的掺杂剂来形成太阳能电池的有效扩散结(211，212，213，214)。例如，所述掺杂剂源(201，202，203，204)可使用印刷方法进行选择性沉积。可采用多个掺杂剂源形成具有不同掺杂浓度的有效扩散区。例如，可制成三个或四个有效扩散区来优化太阳能电池的硅/介电材料界面、硅/金属界面以及前述两界面。所述晶片的正面(103-1)在形成掺杂剂源(201，202，203，204)前采用织构工艺进行织构化，以将晶片材料的去除最小化。可以用自对准接触窗口蚀刻工艺形成使金属栅线能连接到有效扩散结的窗口，以将未对准的影响降到最小。

主权项

一种在背面触点太阳能电池中形成有效扩散区的方法，所述方法包括：提供要加工成太阳能电池的晶片，所述晶片的正面配置成在太阳能电池正常运行时朝向太阳；在要加工成太阳能电池的晶片的背面上形成第一组掺杂剂源，该晶片具有配置成在太阳能电池正常运行时朝向太阳的正面，所述背面与该正面相对，在第一组掺杂剂源上选择性地沉积第二组掺杂剂源和第三组掺杂剂源，第二组掺杂剂源和第三组掺杂剂源具有不同的极性，第二组掺杂剂源被选择性地沉积在贯穿第一组掺杂剂源的第一组窗口中，第三组掺杂剂源被选择性地沉积在贯穿第一组掺杂剂源的第二组窗口中，形成的第一组掺杂剂源的厚度大于第二组掺杂剂源和第三组掺杂剂源的厚度；以及进行扩散步骤，将第一组掺杂剂源中的掺杂剂扩散形成太阳能电池的第一组有效扩散区、将第二组掺杂剂源中的掺杂剂扩散形成太阳能电池的第二组有效扩散区、以及将第三组掺杂剂源中的掺杂剂扩散形成太阳能电池的第三组有效扩散区。