[发明专利]半导体激光元件无效
| 申请号： | 201110403030.3 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102569550A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 柏木淳一;冈本国美;田中岳利;久保田将司 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;B82Y20/00;H01S5/02;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光元件，包括由III族氮化物半导体构成的半导体层叠构造。半导体层叠构造包括：包含In的发光层；配置于该发光层的一侧的p型引导层；配置于上述发光层的另一侧的n型引导层；配置于上述p型引导层的与上述发光层相反一侧的p型包层；和配置于上述n型引导层的与上述发光层相反一侧的n型包层。半导体层叠构造包括：与c轴在上述晶体生长面上的投影矢量平行地形成的直线状的波导；和由与上述投影矢量垂直的解理面构成的一对激光谐振面。半导体层叠构造也可以由将半极性面作为晶体生长面的III族氮化物半导体构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体激光元件，其特征在于：包括由以半极性面作为晶体生长面的III族氮化物半导体构成的半导体层叠构造，该半导体层叠构造包括：包含In的发光层；配置于该发光层的一侧的p型引导层；配置于所述发光层的另一侧的n型引导层；配置于所述p型引导层的与所述发光层相反一侧的p型包层；配置于所述n型引导层的与所述发光层相反一侧的n型包层，所述半导体层叠构造包括：与c轴在所述晶体生长面的投影矢量平行地形成的直线状的波导；和由与所述投影矢量垂直的解理面构成的一对激光谐振面。
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