[发明专利]一种掺Er的GaN荧光粉及其制备方法有效
| 申请号： | 201110403427.2 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102391872A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 王晓丹;臧涛成;程新利;毛红敏;马春兰 | 申请（专利权）人： | 苏州科技学院 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80;C09K11/64 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215011 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺Er的GaN荧光粉及其制备方法。它的化学式为Ga(1-2x-y-z)Er2xCeyAzN，其中，A为元素Mg或Si，0.05%≤x≤5.0%，0.2x≤y≤2x，0.001%≤z≤0.01%。按摩尔比称取原料Ga(NO3)3·9H2O、Er2O3、CeO2及MgO或Si(OC2H5)4)，分别溶解并混合，蒸发溶剂后，将得到的块体研细成粉体，在氮气气氛、600～800℃的条件下处理，得到掺杂离子的Ga2O3材料。然后在NH3气氛、850～1050℃的条件下进一步处理，得到掺杂离子的GaN荧光粉。该方法能有效提高掺Er的GaN荧光粉的发光效率，同时，材料的导电性能得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 er gan 荧光粉 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺Er的GaN荧光粉，其特征在于：化学式为Ga(1‑2x‑y‑z)Er2x Cey Az N，其中，A为元素Mg或Si，0.05%≤x≤5.0%，0.2x≤y≤2x, 0.001%≤z≤0.01%。
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