[发明专利]薄膜光伏器件无效
| 申请号： | 201110403543.4 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102437204A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;单洪青 | 申请（专利权）人： | 北京精诚铂阳光电设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/076;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市亦庄*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜光伏器件，包括脱离保护膜；在所述脱离保护膜表面形成的氧化锌前电极；在所述前电极表面沉积的具有内级联结构的光伏器件各层系；在所述光伏器件各层系与氧化锌前电极之间具有低阻抗区域。本发明的柔性薄膜光伏器件在ZnO与p层之间形成低阻抗区域，能够降低ZnO与p层之间的接触电阻，提高电池性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 器件 | ||
【主权项】：
一种薄膜光伏器件，包括：脱离保护膜；在所述脱离保护膜表面形成的氧化锌前电极；在所述前电极表面沉积的具有内级联结构的光伏器件各层系以及背电极；其特征在于：在所述光伏器件各层系与氧化锌前电极之间具有低阻抗区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
