[发明专利]压电纳米线的叠层结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110404235.3 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102522493A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 万里兮;周静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L41/18 | 分类号： | H01L41/18;H01L41/22;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种压电纳米线的叠层结构，包括：第一导电层；第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；压电层上的第二导电层。通过将多条压电纳米线堆叠后形成压电层，从而形成了压电纳米线自串联的结构，在受到压力弯曲时，其压电效应产生的电压串联，因此输出了更高的电压，此外，第一导电层和第二导电层便于将压电信号引出，并保护了压电层，便于将压电纳米线叠层结构应用于各种器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 纳米 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种压电纳米线的叠层结构，其特征在于，包括：第一导电层；第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；压电层上的第二导电层。
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