[发明专利]一种微米尺度有机小分子单晶材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110404326.7 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103147123A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 江潮;金桥;李德兴;祁琼 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/54 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王浩然;周建秋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微米尺度有机小分子单晶材料的制备方法，该方法包括利用有机半导体材料在介电材料表面形成有机半导体纳米薄膜，并在无水无氧条件下将表面形成有有机半导体纳米薄膜的介电材料进行退火，使所述纳米薄膜转化为有机单晶纳米材料，再利用气相生长法使所述有机单晶纳米材料生长，以在介电材料表面形成微米尺度有机小分子单晶材料，其中，所述纳米薄膜的厚度为0.1-10nm。本发明方法在介电材料原位生成产物，单晶生长过程中晶粒不会受到污染或损坏，工艺简单而又易控制，具有一定的普适性；制得的微米尺度有机小分子单晶材料具有极好的晶体完整性、丰富的宏观形貌及一定分布范围的二维尺度等特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 尺度 有机 分子 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微米尺度有机小分子单晶材料的制备方法，其特征在于，该方法包括利用有机半导体材料在介电材料表面形成有机半导体纳米薄膜，并在无水无氧条件下将表面形成有有机半导体纳米薄膜的介电材料进行退火，使所述纳米薄膜转化为有机单晶纳米材料，再利用气相生长法使所述有机单晶纳米材料生长，以在介电材料表面形成微米尺度有机小分子单晶材料，其中，所述纳米薄膜的厚度为0.1‑10nm。
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