[发明专利]半导体装置、其制造方法以及电子设备无效
申请号: | 201110404627.X | 申请日: | 2011-12-07 |
公开(公告)号: | CN102569314A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 糸长总一郎;堀池真知子 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及半导体装置、其制造方法以及电子设备,所述半导体装置例如配置为背照射型固体摄像装置并包括:层叠半导体芯片,其通过将两个以上半导体芯片单元彼此接合而形成,并且其中,至少在第一半导体芯片单元中形成有像素阵列和多层布线层,并且在第二半导体芯片单元中形成有逻辑电路和多层布线层;半导体除去区,其中,第一半导体芯片单元的一部分的半导体部被全部除去;以及多个连接布线,它们形成于半导体除去区中,并且将第一半导体芯片单元和第二半导体芯片单元彼此连接。本发明可减小寄生电容,因此,可提供高性能的半导体装置及电子设备。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其配置为背照射型固体摄像装置并包括:层叠半导体芯片,其通过使两个以上半导体芯片单元彼此接合而形成,并且在该层叠半导体芯片中,至少在第一半导体芯片单元中形成有像素阵列和多层布线层并在第二半导体芯片单元中形成有逻辑电路和多层布线层;半导体除去区,在该半导体除去区中,所述第一半导体芯片单元的一部分的半导体部被全部除去;以及多个连接布线,它们形成于所述半导体除去区中,并且用于将所述第一半导体芯片单元和所述第二半导体芯片单元彼此连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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