[发明专利]集成发光器件和太阳电池片的半导体结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种集成发光器件和太阳电池片的半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括太阳能级Si衬底，在Si衬底的中间区域制成太阳能电池片，剩下的边缘Si衬底作为LED器件的衬底，在上面制作LED器件。其具体步骤为：在太阳能级Si衬底的正面制绒；在Si衬底的正面扩散，形成P-N结；正面去PSG；正面减反射膜制备；正反面金属化掩膜制备；正反面金属化；背面外延半导体级Si薄膜；背面生长GaN层；背面生长LnGaN层；光刻形成LED颗粒；LED颗粒与外部引线键合。本发明的有益效果是：将边缘的Si衬底作为其他半导体器件的衬底使用，可以节约材料成本，同时拓展了太阳电池及其他半导体器件的应用范围。

主权项

一种集成发光器件和太阳电池片的半导体结构，其特征是：包括太阳能级Si衬底，在Si衬底的中间区域制成太阳能电池片，剩下的边缘si衬底作为LED器件的衬底，在上面制作LED器件。