[发明专利]具有PIN二极管隔离的高压电阻器

摘要

本发明公开了一种具有PIN二极管隔离的高压电阻器，其中，提供了一种高压半导体器件，包括形成在衬底中PIN二极管结构。PIN二极管包括设置在第一掺杂阱和第二掺杂阱之间的本征区域。第一和第二掺杂阱具有相反的掺杂极性和大约本征区域的掺杂浓度等级。半导体器件包括形成在第一掺杂阱的一部分之上的绝缘结构。半导体器件包括形成在绝缘结构之上的伸长电阻器件。电阻器件具有分别设置在电阻器件的相对端处的第一和第二部分。半导体器件包括形成在电阻器件之上的互连结构。半导体器件包括电连接至第一掺杂阱的第一接触以及电连接至电阻器中位于第一和第二部分之间的第三部分的第二接触。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；第一掺杂区域，设置在所述衬底中；第二掺杂区域，设置在所述衬底中，所述第二掺杂区域与所述第一掺杂区域进行相反的掺杂；第三掺杂区域，设置在所述衬底中并且在所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域之间，所述第三掺杂区域具有比所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域低的掺杂浓度等级；绝缘器件，设置在所述第一掺杂区域的一部分之上；以及电阻器，设置在所述绝缘器件之上。