[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，该方法包括：在半导体衬底上形成鳍；在形成有鳍的半导体衬底上形成虚拟栅极，其横跨过鳍；在虚拟栅极的两侧形成第一侧墙，对鳍进行离子注入，以形成鳍式场效应晶体管的源极、漏极；去除虚拟栅极，在虚拟栅极的所在位置形成开口，依次沉积高K栅介质层、金属栅极材料层以填充开口，形成金属栅极；依次去除第一侧墙及金属栅极侧壁上的高K栅介质层。本发明的鳍式场效应晶体管中金属栅极两侧的高K栅介质层被有效清除，避免了金属栅极与源极/漏极之间产生寄生电容，且在清除的过程中不会对其它半导体结构造成损害，使形成的鳍式场效应晶体管具有良好的电学性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍，所述鳍沿着平行于半导体衬底表面的第一方向延伸；在所述形成有鳍的半导体衬底上形成虚拟栅极，所述虚拟栅极沿着平行于半导体衬底表面的第二方向延伸，并横跨过所述鳍；在所述虚拟栅极的两侧形成第一侧墙，对鳍进行离子注入，以形成所述鳍式场效应晶体管的源极、漏极；去除所述虚拟栅极，在所述虚拟栅极的所在位置形成开口，依次沉积高K栅介质层、金属栅极材料层以填充所述开口，形成金属栅极；依次去除所述第一侧墙，及金属栅极侧壁上的高K栅介质层。