[发明专利]高压射频横向扩散结构的功率器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种高压射频横向扩散结构的功率器件及其制造方法，制造方法包括：提供P型硅衬底，上有P型外延层；在外延层上形成P型沉降区和多个局部氧化隔离；热生长栅氧和含磷掺杂的多晶硅栅，形成栅极；在栅极两侧分别注入硼形成P型体区、注入磷形成N型漂移区，并高温推结；分别在P型沉降区中注入硼形成P+区、在P型体区和N型漂移区中注入砷形成N+区，并高温退火；在器件表面生成ONO结构，并干法刻蚀，在栅极两侧获得D型侧墙；去除侧墙表面的二氧化硅，获得L型侧墙；在器件表面形成阻挡层，再在栅极上方开出窗口；在栅极上方形成钛硅化物接触。本发明既可有效避免源和漏短接的风险，又可得到电阻率很低的栅极硅化物，满足高频LDMOS的需求。

主权项

一种高压射频横向扩散结构的功率器件(100)的制造方法，包括步骤：提供P型硅衬底(101)，其上形成有P型外延层(102)；在所述P型外延层(102)上注入P型杂质，并经高温热处理形成P型沉降区(103)；在所述P型外延层(102)上按照预定的器件结构进行局部氧化工艺，形成器件/电路部分的多个局部氧化隔离(104)；依次热生长栅氧(105)和含第一N型杂质掺杂的多晶硅栅(106)，通过光刻和刻蚀工艺形成所述功率器件(100)的栅极(107)；依次采用大角度离子注入方法在所述栅极(107)的两侧分别注入P型杂质形成P型体区(108)、注入第一N型杂质形成N型漂移区(109)，并高温推结；依次采用离子注入方法分别在所述P型沉降区(103)中注入P型杂质形成P+区(110)、在所述P型体区(108)和所述N型漂移区(109)中注入第二N型杂质形成N+区(111)，并高温退火；采用低温淀积方法在所述功率器件(100)的表面生成ONO结构，并用干法刻蚀法刻蚀所述ONO结构，在所述栅极(107)的两侧获得D型侧墙(112)；采用湿法刻蚀法去除所述D型侧墙(112)表面的二氧化硅，在所述栅极(107)的两侧获得L型侧墙(113)；采用低温淀积方法在所述功率器件(100)的表面形成预定厚度的阻挡层(114)，再在所述栅极(107)上方用硅化物阻挡层光刻版光刻并湿法刻蚀所述阻挡层(114)，在所述栅极(107)上方开出窗口(115)；依次在所述窗口(115)区域采用溅射钛、快速热退火、漂洗、再快速热退火的工艺，在所述栅极(107)上方形成钛硅化物接触(116)。