[发明专利]齐纳二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110407748.X | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103165659A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 仲志华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/866;H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种齐纳二极管，在一N型阱内形成有P型重掺杂区，在所述P型重掺杂区内形成有N型重掺杂区，在所述P型重掺杂区同所述N型重掺杂区的交界处上方形成有第一绝缘介质层，在所述P型重掺杂区同所述N型重掺杂区的交界处的第一绝缘介质层上方形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅上引出齐纳二极管的控制栅极，所述P型重掺杂区引出齐纳二极管的阳极，所述N型重掺杂区中间处引出齐纳二极管的阴极。本申请还公开了一种齐纳二极管的制造方法。本申请的齐纳二极管，反向击穿电压稳定、可控。 | ||
| 搜索关键词： | 齐纳二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种齐纳二极管，其特征在于，在一N型阱内形成有P型重掺杂区，在所述P型重掺杂区内形成有N型重掺杂区，在所述P型重掺杂区同所述N型重掺杂区的交界处上方形成有第一绝缘介质层，在所述P型重掺杂区同所述N型重掺杂区的交界处的的第一绝缘介质层上方形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅上引出齐纳二极管的控制栅极，所述P型重掺杂区引出齐纳二极管的阳极，所述N型重掺杂区中间处引出齐纳二极管的阴极。
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