[发明专利]一种相变随机存储器阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201110407852.9 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102522500A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;周娇;周文利 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于微纳电子学技术领域，涉及一种简单易行的相变存储器阵列的制备方法，相变随机存储器阵列的每一层均依次经过清洗、匀胶、烘烤、光刻、镀膜和剥离制备获得。相变随机存储器阵列依次包括下电极层、相变层和上电极层；在下电极层与相变层之间，以及相变层和上电极层之间均可以包括绝缘层。本发明只涉及纳米加工技术和薄膜制备方法，器件结构简单，制备方法容易实施，与CMOS制造工艺兼容性好，并且可以实现大容量存储阵列的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 随机 存储器 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变随机存储器阵列的制备方法，其特征在于，相变随机存储器阵列的每一层均依次经过清洗、匀胶、烘烤、光刻、镀膜和剥离制备获得。
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