[发明专利]磁场电流传感器有效

专利信息
申请号: 201110408331.5 申请日: 2011-12-09
公开(公告)号: CN102539882A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: U.奥塞莱希纳 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;卢江
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 实施例涉及磁场电流传感器。在一个实施例中,一种磁场电流传感器包括:半导体管芯,具有第一和第二相对的表面并且包括至少一个磁场感测元件;以及单一导体,包括足迹部分、第一和第二支柱部分以及第一和第二接触部分,第一支柱部分具有第一高度并且将第一接触部分耦合到足迹部分,第二支柱部分具有第一高度并且将第二接触部分耦合到足迹部分,第一高度是将足迹部分与第一和第二接触部分分开的单调竖直尺寸,并且足迹部分将导体耦合到管芯的第一表面,使得足迹部分基本上平行于管芯的第一表面且处于第一表面的周界内,并且第一和第二接触部分比第二表面更靠近第一表面。
搜索关键词: 磁场 电流传感器
【主权项】:
一种磁场电流传感器,包括:半导体管芯,具有第一和第二相对的表面并且包括至少一个磁场感测元件;以及单一导体,包括足迹部分、第一和第二支柱部分以及第一和第二接触部分,第一支柱部分具有第一高度并且将第一接触部分耦合到足迹部分,第二支柱部分具有第一高度并且将第二接触部分耦合到足迹部分,第一高度是将足迹部分与第一和第二接触部分分开的单调竖直尺寸,并且足迹部分将导体耦合到管芯的第一表面,使得足迹部分基本上平行于管芯的第一表面且处于第一表面的周界内,并且第一和第二接触部分比第二表面更靠近第一表面。
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