[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110409132.6 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN102569435A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 吕智成;胡雁程;陈人杰;吴振诚 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/052;H01L31/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭蔚
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种太阳能电池,其包括半导体基材、掺杂材料层、第一接触电极、电极层、散热材料层以及第二接触电极。半导体基材具有第一表面以及第二表面。掺杂材料层位于靠近第一表面的半导体基材之上或内。第一接触电极位于掺杂材料层上。电极层位于半导体基材的第二表面上。散热材料层覆盖电极层。第二接触电极位于散热材料层上,且第二接触电极与电极层电性连接。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:一半导体基材,其具有一第一表面以及一第二表面;一掺杂材料层,位于靠近该第一表面的该半导体基材之上或内;一第一接触电极,位于该掺杂材料层上;一电极层,位于该半导体基材的该第二表面上;一散热材料层,覆盖该电极层;以及一第二接触电极,位于该散热材料层上,且该第二接触电极与该电极层电性连接。
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