[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201110409132.6 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN102569435A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 吕智成;胡雁程;陈人杰;吴振诚 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/052;H01L31/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种太阳能电池,其包括半导体基材、掺杂材料层、第一接触电极、电极层、散热材料层以及第二接触电极。半导体基材具有第一表面以及第二表面。掺杂材料层位于靠近第一表面的半导体基材之上或内。第一接触电极位于掺杂材料层上。电极层位于半导体基材的第二表面上。散热材料层覆盖电极层。第二接触电极位于散热材料层上,且第二接触电极与电极层电性连接。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:一半导体基材,其具有一第一表面以及一第二表面;一掺杂材料层,位于靠近该第一表面的该半导体基材之上或内;一第一接触电极,位于该掺杂材料层上;一电极层,位于该半导体基材的该第二表面上;一散热材料层,覆盖该电极层;以及一第二接触电极,位于该散热材料层上,且该第二接触电极与该电极层电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的