[发明专利]包含功率器件的半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201110409281.2 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102446961A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 无锡中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 戴薇 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包含功率器件的半导体装置及制备方法，属于半导体制造领域。所述包含功率器件的半导体装置包括MOS管，所述MOS管包括栅极以及分布与所述栅极两侧的源极和漏极，所述源极和漏极上形成有接触孔，所述接触孔的尺寸大于标准工艺中的接触孔尺寸。本发明通过对包含功率器件的半导体装置中的功率器件提供尺寸大于标准工艺的接触孔的接触孔，使得该功率器件中的接触孔的寄生电阻明显减小，从而提高了功率器件的电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 功率 器件 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种包含功率器件的半导体装置，其特征在于，其包括：MOS管，所述MOS管包括栅极以及分布与所述栅极两侧的源极和漏极，所述源极和漏极上形成有接触孔，所述接触孔的尺寸大于标准工艺中的接触孔尺寸。
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